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PolarHT TM HiPerFET IXFR 140N20P
Power MOSFET
ISOPLUS247 TM
(Electrically Isolated Back Surface)
N-Channel Enhancement Mode
Fast Intrinsic Diode
Avalanche Rated
V DSS = 200 V
I D25 = 90 A
R DS(on) ≤ 22 m ?
t rr ≤ 200 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
200
200
± 20
± 30
V
V
V
V
ISOPLUS247 (IXFR)
E153432
I D25
I D(RMS)
T C = 25 ° C
External lead current limit
90
75
A
A
G
D
S
(Isolated Tab)
I DM
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
280
A
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
60
100
4
10
A
mJ
J
V/ns
G = Gate
S = Source
D = Drain
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 ?
P D
T C = 25 ° C
300
W
International standard isolated
T J
T JM
T stg
-55 ... +175
175
-55 ... +150
° C
° C
° C
Features
l
T L
V ISOL
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
50/60 Hz, RMS, 1 minute
300
2500
° C
V~
l
l
package
UL recognized package
Unclamped Inductive Switching (UIS)
M d
Terminal torque
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
1.13/10 Nm/lb.in.
l
rated
Low package inductance
Weight
5
g
l
- easy to drive and to protect
Fast intrinsic diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Min. Typ. Max.
200
V
Advantages
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
2.5
5.0
± 200
25
250
V
nA
μ A
μ A
l
l
l
Easy to mount
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
V GS = 15 V, I D = 140A
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
17
22
m ?
m ?
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99298E(12/05)
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